Технические характеристики
| Photocathode Area Shape | Round |
|---|---|
| Photocathode Area Size | Dia.8 mm |
| Wavelength (Short) | 300 nm |
| Wavelength (Long) | 650 nm |
| Wavelength (Peak) | 400 nm |
| Dimension (W x H x D) | 22.0 x 22.0 x 30.0 mm |
| Input Voltage | ±11.5 to ±15.5 V |
| Max. Input Voltage | ±18 V |
| Max. Input Current | +11.5 / -1.5 mA |
| Max. Output Signal Voltage | +10 (Load resistance 10 k-ohm) V |
| Max. Control Voltage | +1.0 (Input impedance 30 k-ohm) V |
| Recommended Control Voltage Adjustment Range | +0.5 to +1.0 (Input impedance 30 k-ohm) V |
| Светочувствительность катода Min. | 80 μA/lm |
| Светочувствительность катода Typ. | 105 μA/lm |
| Синий индекс чувствительности Typ. | 13.5 |
| Радиантная чувствительность Typ. | 110 mA/W |
| Светочувствительность анода Min. | 3.0 x 106 V/lm |
| Светочувствительность анода Typ. | 1.1 x 107 V/lm |
| Радиантная чувствительность анода Typ. | 11 V/nW |
| Vout в зависимости от темного тока PMT Typ. | 0.05 mV |
| Vout в зависимости от темного тока PMT Max. | 0.5 mV |
| Коэффициент преобразования тока в напряжение | 0.1 V/μA |
| Типичное значение смещения выходного напряжения | ±1 mV |
| Максимальный шум пульсаций (пиковое значение) | 1.5 mV |
| Максимальное время установления | 0.2 s |
| Рабочая температура окружающей среды | +5 to +50 ℃ |
| Температура хранения | -20 to +50 ℃ |
| Вес | 46 g |




