Матрица для холодной переработки из вольфрамового карбида
04.10.2024Матрица фотодиодов InGaAs G6849-01 с PIN-структурой
04.10.2024 Матрица PIN-фотодиодов InGaAs G12430-016D1
Технические характеристики: Количество элементов — 16. Корпус — керамический. Охлаждение — без охлаждения. Спектральный диапазон отклика — от 0.9 до 1.7 мкм. Пиковая длина волны чувствительности (тип.) — 1.55 мкм. Фоточувствительность (тип.) — 0.95 А/Вт. Темный ток (макс.) — 2.5 нА. Граничная частота (тип.) — 30 МГц. Ёмкость терминала (тип.) — 60 пФ. Условия измерения: Тa=25 ℃, если не указано иное.