-
Матрица фотодиодов с усилителем S13885-128G
Размер изображения 51.2 x 0.6 мм, количество эффективных пикселей 128, размер пикселя 0.3 x 0.6 мм, шаг пикселя 0.4 мм, напряжение питания 3.3 В, сцинтиллятор – фосфорная пленка, пик чувствительности 720 нм, максимальная скорость линии 7568 линий/с, емкость обратной связи зарядного усилителя 0.125 пФ. Примечание для рентгеновских лучей, тип с высокой чувствительностью.
-
Матрица фотодиодов с усилителем S13886-128G
Размер изображения 102.4 x 0.8 мм Количество эффективных пикселей 128 Пиксельный размер 0.7 x 0.8 мм Шаг пикселей 0.4 мм Напряжение питания 3.3 В Сцинтиллятор Фосфорный лист Пиковая чувствительность 720 нм Максимальная скорость считывания 7568 линий/с Ёмкость обратной связи зарядного усилителя 0.125 пФ Примечание для рентгеновских лучей, тип с высокой чувствительностью.
-
Матрица фотодиодов с усилителем С11865-128С
Размер изображения 51.2 x 0.6 мм Количество эффективных пикселей 128 пикселей Размер пикселя 0.3 x 0.6 мм Шаг пикселя 0.4 мм Напряжение питания 5 В Сцинтиллятор отсутствует Диапазон спектральной чувствительности 200 – 1000 нм Пиковая чувствительность на длине волны 720 нм Максимальная скорость считывания 7568 линий/с Обратная ёмкость усилителя заряда 0.5 пФ Условия измерения…
-
Модуль фотодиода C10439-15
Технические характеристики: Площадь чувствительной зоны 2.4 × 2.4 (Si), φ1 (InGaAs) мм; Диапазон спектральной чувствительности 320–2600 нм; Пиковая длина волны чувствительности 940 (Si), 2300 (InGaAs) нм; Аналоговый выход, импеданс преобразования: низкий диапазон – 1 × 10⁶, высокий диапазон – 1 × 10⁵ В/A; Частота среза: низкий диапазон – 100000 Гц, высокий диапазон – 10000 Гц; Напряжение питания ±5 до ±12 В.
-
ОПТ301М (Освещение для частоты и напряжения)
17447,50 ₽Приобрести OPT301M от 1 единицы в Москве. Производитель TEXAS INSTRUMENTS. В наличии 345 единиц на складе.
-
Усилитель фотодатчика C6386-01
Технические характеристики
-
Фотодиод InGaAs G12180-005A в корпусе PIN
Характеристики – Небольшой уровень шума, незначительный темновой ток – Минимальная входная емкость – Светочувствительная зона: φ0,5 мм – Минимальный уровень шума.
-
Фотодиод InGaAs G12180-020A PIN
Характеристики: тихая работа, минимальный темновой ток, малая входная емкость, светочувствительная область: φ2 мм, низкий уровень шума.
-
Фотодиод InGaAs G12180-030A с PIN-конструкцией
Характеристики: минимальный уровень шума, небольшой темновой ток, малая входная емкость, светочувствительная область диаметром 3 мм.
-
Фотодиод InGaAs G12183-110K с PIN-структурой
Ключевые характеристики: Длина волны отсечки – 2,57 мкм, одноступенчатое термоэлектрическое охлаждение, доступная цена, светочувствительная площадь 1 мм в диаметре, минимальный уровень шума, высокая чувствительность и надежность, а также высокая скорость работы.
-
Фотодиод InGaAs G6854-01 типа PIN
Технические параметры: Фоточувствительная область φ0.08 мм, количество элементов 1, металлический корпус TO-18 с CD-линзой, без охлаждения. Спектральный диапазон ответов: 0.9-1.7 мкм, пиковая длина волны чувствительности (тип.) 1.55 мкм, фоточувствительность (тип.) 0.95 A/W, максимальный темный ток 0.4 нА, типовая частота среза 2000 МГц, емкость выводов (тип.) 1 пФ.
-
Фотодиод InGaAs G8370-81 с PIN-структурой
Технические параметры: Площадь реакции φ1.0 мм, количество элементов 1, упаковка металлическая, класс TO-18, охлаждение без активной системы. Диапазон спектральной чувствительности составляет от 0.9 до 1.7 μm, максимальная чувствительность наблюдается на длине волны 1.55 μm с типичной фоточувствительностью 1.1 A/W. Максимальный темный ток — 5 nA, типовая частота среза — 35 MHz, типовая емкость терминала — 90 pF, шумовая эквивалентная мощность составляет 2×10^-14 W/Hz^1/2.
-
Фотодиод InGaAs PIN G12180-010A
Особенности – тихая работа, минимальный темновой ток – малые входные емкости – диаметр светочувствительной области: 1 мм – низкий уровень шума.
-
Фотодиод InGaAs модели G12183-130K с PIN-структурой
Характеристики: Длина волны отсечки 2,57 мкм, одноступенчатое ТЕ-охлаждение, доступная цена, светочувствительная площадь φ3 мм, минимальный уровень шума, высокая чувствительность и надежность, а также быстрое время отклика.
-
Фотодиод InGaAs с PIN-конструкцией G12182-005K
Ключевые характеристики: длина волны отсечения 2,1 мкм, доступная цена, светочувствительная область φ0,5 мм, минимальный уровень шума, высокая чувствительность, высокая надежность и скорость работы.
-
Фотодиод PIN InGaAs G12183-003K
Длина волны с cutoff: 2,6 мкм, доступная цена, светочувствительная площадь: φ0,3 мм, минимальный уровень шума, высокая чувствительность, надежность и быстродействие.
Фотодиоды
1 2
