Дополнительный пакет моделирования радиочастотных транзисторов W8524 IC-CAP CMC GaN обеспечивает потоки извлечения для 2 физических моделей для моделирования устройств на основе GaN. Обе модели были недавно приняты в качестве отраслевого стандарта организацией Compact Model Coalition (CMC) в 2017 году.
- Advanced Spice Model for High Electron Mobility Transistors или ASM-HEMT Model
- MIT Virtual Source GaN Model или MVSG_CMC Model
Обе модели были сформулированы как для высокочастотных (РЧ), так и для высоковольтных (силовая электроника) приложений. Как основанные на физике модели, они могут дать представление разработчикам процессов GaN. Например, инженеры-технологи могут узнать преимущества повышенной подвижности или сниженного контактного сопротивления для общей эффективности усилителя мощности. Таким образом, устанавливается связь между производительностью схемы и системы и улучшениями литейного процесса с помощью параметров моделирования устройств на основе физики.
Набор инструментов RF GaN, представленный в PathWave Device Modeling (IC-CAP) 2020, служит отличной отправной точкой для извлечения параметров моделей ASM-HEMT и MVSG с помощью простого в использовании пользовательского интерфейса. Теперь на одной платформе можно инициировать измерения, вносить данные в платформу IC-CAP, извлекать параметры модели, а затем экспортировать полученную карту модели в Advanced Design Systems (ADS) или любой другой симулятор, который может запускать эти модели. Представлены два примера потоков: один для MVSG и один для ASM-HEMT.
{{#ifEquals isAuthorMode ‘Y’}} {{#ifEquals isDynamicFragment ‘Y’}} {{#ifEquals isPimFlag ‘N’}}
{{/ifEquals}} {{#ifEquals isPimFlag ‘Y’}} {{#ifEquals isKeySightCareFlag ‘N’}}
{{/ifEquals}} {{/ifEquals}} {{/ifEquals}} {{/ifEquals}} {{#ifEquals isKeySightCareFlag ‘Y’}}
{{/ifEquals}} {{#ifEquals isKeySightCareFlag ‘N’}}
{{/ifEquals}}



