Trend Networks TIA-952S-ST — кремниевый O/E-преобразователь (30 кГц — 800 МГц) с подключением ST

Описание

Trend Networks TIA-952S-ST

• Полоса пропускания от 30 кГц до 800 МГц
• Кремниевый детектор
• Оптоволоконное соединение ST
• Выходной разъем: Male BNC
• Выбираемые настройки усиления

Кремниевый преобразователь O/E (от 30 кГц до 800 МГц) с соединением ST

Оптоэлектрический преобразователь TIA-952 представляет собой удобную комбинацию оптоволоконного детектора/усилителя, которая монтируется непосредственно на входе осциллографа, дигитайзера или другого считывающего устройства. С полосой пропускания 800 МГц он точно обеспечивает электрическую копию оптического сигнала, подаваемого на него. Он полностью способен управлять 50-омным кабелем, нагруженным на его характерную нагрузку.

Версия TIA-952 на основе InGaAs имеет трансимпеданс 500 Ом, а также постусилитель с выбираемым коэффициентом усиления 1 или 5. Таким образом, общая чувствительность варьируется от приблизительно 450 В/Вт до 2250 В/Вт на пике кривой отклика детектора и при нагрузке 50 Ом.

Версия TIA-952 на основе Silicon имеет трансимпеданс 250 Ом, а также постусилитель с выбираемым коэффициентом усиления 1 или 5. Таким образом, общая чувствительность варьируется от приблизительно 225 В/Вт до 1125 В/Вт на пике кривой отклика детектора и при нагрузке 50 Ом.

Устройство питается от универсального настенного блока питания. Блок питания принимает сетевое напряжение от 95 до 260 В переменного тока, 47-60 Гц. Предоставляются четыре сетевых вилки, совместимые со стандартами, используемыми в Северной Америке, Великобритании, континентальной Европе и Австралии.

Калибровка – Это качественное измерительное устройство. Калибровка не требуется и не нужна.

Сравнение серий

Модель/полоса пропусканияПолоса пропусканияВыходДетекторДлина волныМощностьСвязь по переменному и постоянному токуУсиление преобразования при пиковой длине волныTIA-525S125 МГцBNCSilicon400 -1000 нм9 В литиевая батарея / унив. Источник питанияВыбираемый100 000 В/WTIA-525I125 МГцBNCInGaAs850 – 1700 нм9 В литиевая батарея / унив. Блок питанияВыбираемый100 000 В/WTIA-527125 МГцBNCMatched InGaAs850 – 1700 нм9 В литиевая батарея / Универсальный блок питанияВыбираемый100 000 В/WTIA-952750 МГцBNCInGaAs850 – 1700 нмУниверсальный блок питанияAC2500 В/WTIA-120012 ГГц Typ.Type K SMA FemaleInGaAs900 – 1700 нмУниверсальный блок питанияDC0,8 А/WTIA-300010 ГГцType K SMA FemaleInGaAs900 – 1700 нмУниверсальный блок питанияAC450 В/Вт