Описание
Trend Networks TIA-1200-FCA
- Полоса пропускания от постоянного тока до 12 ГГц
- Большая площадь InGaAs-детектора
- Длина волны: 900–1700 нм
- FC/APC-разъем для входного оптоволоконного разъема
- Выходной разъем SMA типа K female для вашего осциллографа или дигитайзера
O/E-преобразователь (от постоянного тока до 12 ГГц) с разъемом FCA
Оптоэлектрический преобразователь TIA-1200 представляет собой широкополосную систему обнаружения для оптоволоконных приложений. С типичной полосой пропускания от постоянного тока до 12 ГГц он точно обеспечивает электрическую копию оптического сигнала, подаваемого на него. Он предназначен для управления кабелем сопротивлением 50 Ом, нагруженным на его характеристическое сопротивление. Устройство оснащено детектором InGaAs/InP, который реагирует в диапазоне длин волн 900–1700 нм. TIA-1200 оснащен оптоволоконным разъемом FC. Выходной сигнал подается на гнездовой разъем SMA типа K.
Устройство оснащено детектором InGaAs/InP, который реагирует в диапазоне длин волн 900–1700 нм. TIA-1200 оснащен оптоволоконным разъемом FC или FC/APC (модели TIA-1200-FC и TIA-1200-FCA соответственно). Выходной сигнал подается на гнездовой разъем SMA типа K.
Детектор TIA-1200 имеет диаметр 50 микрон. При желании его можно заказать с 50-микронным волокном, что позволит тестировать как одномодовые, так и многомодовые источники без чрезмерных потерь на связь.
Типичные оптические возвратные потери составляют 35 дБ и в первую очередь обусловлены используемым разъемом FC/PC. Если требуются более высокие возвратные потери, устройство может быть опционально оснащено одномодовыми угловыми разъемами PC для ORL около 52 дБ.
Сравнение серий
Модель/полоса пропусканияПолоса пропусканияДетекторДлина волныМощностьСвязь по переменному и постоянному токуУсиление преобразования при пиковой длине волныTIA-525S125 МГцКремний400 -1000 нм9 В литиевая батарея / унив. источник питанияВыбираемый100 000 В/WTIA-525I125 МГцInGaAs850 – 1700 нм9 В литиевая батарея / унив. Блок питанияВыбираемый100 000 В/WTIA-527125 МГцСоответствующий InGaAs850 – 1700 нм9 В литиевая батарея / Универсальный блок питанияВыбираемый100 000 В/WTIA-952750 МГцInGaAs850 – 1700 нмУниверсальный блок питанияAC2500 В/WTIA-120012 ГГц Тип.InGaAs900 – 1700 нмУниверсальный блок питанияDC0,8 А/WTIA-300010 ГГцInGaAs900 – 1700 нмУниверсальный блок питанияAC450 В/Вт





