Каталог

ВЧ МОП-транзисторы PD55025-E

Технические характеристики

Id – непрерывный ток утечки 7 A
Pd – рассеивание мощности 79 W
Vds – напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs – напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 3.5 mm
Выходная мощность 25 W
Длина 7.5 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта РЧ МОП-транзисторы
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи – Мин. 2.5 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Рабочая частота 1 GHz
Размер фабричной упаковки 400
Серия PD55025-E
Технология Si
Тип RF Power MOSFET
Тип продукта RF MOSFET Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок PowerSO-10RF-Straight-4
Усиление 14.5 dB
Чувствительный к влажности Yes
Ширина 9.4 mm
Вес, г 0.42
+79043698209
Заполните форму и мы перезвоним Вам. X