Пакет извлечения модели W8551ET IC-CAP HiSIM

Пакет извлечения модели W8551 IC-CAP HiSIM обеспечивает полные процедуры измерения и извлечения для параметров модели DC, CV и RF. Интуитивно понятный пользовательский интерфейс в стиле Windows позволяет инженерам быстро создавать точную модель.

HiSIM2, отраслевой стандарт модели усовершенствованной модели поверхностного потенциала, был разработан Университетом Хиросимы в Японии. Более ранние компактные модели, такие как BSIM4, были разработаны в первую очередь для цифровых схем и имеют ограничения при использовании для аналоговых и радиочастотных приложений на небольших технологических узлах. Модель HiSIM2 вычисляет поверхностный потенциал устройства, что позволяет точнее описывать глубокие субмикронные физические явления и приводит к более точному описанию внутренних токов и зарядов.

• Извлечение постоянного тока, CV и радиочастот для HiSIM v2.5.1 с методами моделирования высокочастотных эффектов для МОП/КМОП
• Надежные процедуры прямого извлечения, используемые для поиска наилучших начальных значений для оптимизаторов, тем самым устраняя необходимость в чрезмерных шагах оптимизации и настройки
• Гибкий, настраиваемый поток извлечения
• Визуализация, оптимизация и настройка данных в стиле Windows
• Общая среда пользовательского интерфейса с продуктами пакета извлечения, доступными для других стандартных отраслевых моделей, включая BSIM3, BSIM4, BSIMSOI4, PSP и HiSIM_HV. Модуль общих измерений позволяет использовать измерения для извлечения любой из этих моделей