Пакет извлечения модели 85194ML IC-CAP HiSIM2.4

• Извлечение DC, CV и RF для HiSIM v2.4.1 с методами моделирования высокочастотных эффектов для MOS/CMOS
• Надежные процедуры прямого извлечения, используемые для поиска наилучших начальных значений для оптимизаторов, тем самым устраняя необходимость в чрезмерной оптимизации и Этапы настройки
• Гибкий, настраиваемый поток извлечения
• Визуализация, оптимизация и настройка данных в стиле Windows
• Общая среда пользовательского интерфейса с продуктами пакета извлечения, доступными для других стандартных отраслевых моделей, включая BSIM3, BSIM4, BSIMSOI4, PSP и HiSIM_HV. Общий модуль измерения позволяет использовать измерения для извлечения любой из этих моделей.

Примечание: модель номер 85194M была снята с производства, однако эта функция/возможность теперь включена в W8551EP/ET.

Информация ниже предоставлена только для справки.

Пакет извлечения модели HiSIM2 (85194ML) обеспечивает полные процедуры измерения и извлечения для параметров модели DC, CV и RF. Интуитивно понятный пользовательский интерфейс в стиле Windows позволяет инженерам быстро создавать точную модель. Пакет был разработан AdMOS с использованием функций, доступных в программной среде IC-CAP (85199A). Пожалуйста, нажмите здесь для получения дополнительной информации о AdMOS

Также доступен пакет продуктов (85194RL), который включает в себя как HiSIM2.4, так и HiSIM-HV Model Extraction Packages.

HiSIM2, отраслевой стандарт модели расширенной модели поверхностного потенциала, был разработан Университетом Хиросимы в Японии. Более ранние компактные модели, такие как BSIM4, были в основном разработаны для цифровых схем и имеют ограничения при использовании для аналоговых и радиочастотных приложений на небольших технологических узлах. Модель HiSIM2 вычисляет поверхностный потенциал устройства, что позволяет точнее описывать глубокие субмикронные физические явления и приводит к более точному описанию внутренних токов и зарядов.