Каталог

RF FET 4V 12GHZ 4MICROX – RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X

Транзисторы полевые CE3512K2


Datasheet CE3512K2 (PDF)

Производитель CEL
Серия
Упаковка Массовое
Статус детали Активный
Тип транзистора pHEMT FET
Частота 12 ГГц
Выигрыш 13,7 дБ
Напряжение — тест 2 В
Текущий рейтинг 15 мА
Коэффициент шума 0,5 дБ
Текущий – тест 10 мА
Мощность – выход 125 мВт
Напряжение — номинально 4 В
Упаковка/кейс 4-Микро-X
Пакет устройств поставщика 4-Микро-X
+79043698209
Заполните форму и мы перезвоним Вам. X