85194J Philips MOS Модель 9 Модуль извлечения

Примечание: модель номер 85194J устарела.

Информация ниже предоставлена только для справки.

Philips MOS Model 9 — это компактная модель MOSFET, подходящая как для цифровых, так и для аналоговых схем. Он имеет отдельные уравнения, охватывающие изменения тока и заряда во всех рабочих областях устройства.

Все важные физические эффекты моделируются, такие как эффект тела подложки, снижение барьера, вызванное стоком, модуляция длины канала и лавинное умножение.

Модель MOS 9 находится в открытом доступе и была реализована в IC-CAP в результате совместной работы Philips Research Labs, Национального центра микроэлектронных исследований (NMRC) в Университете Корка в Ирландии и Keysight EEsof EDA.

Метод быстрого извлечения был реализован в IC-CAP. При использовании этого метода требуется минимальная оптимизация для извлечения параметров.

Например, при использовании метода быстрого извлечения для извлечения набора параметров требуется всего 40 точек данных I-V. Это контрастирует с обычными процедурами, которые обычно требуют от 500 до 600 точек данных I-V для каждого транзистора.

Это позволяет быстро создать базу данных для статистического моделирования. В этом обновлении также реализована модель емкости перехода с методологией извлечения.

Для получения дополнительной информации о Philips MOS Model 9, включая характеристики модели, описания параметров, уравнения модели и исходный код, щелкните следующую ссылку:

• Модели транзисторов Philips Semiconductor: MOS Model 9