Каталог

Характеристики RF МОП-транзистора

В данном разделе представлены основные параметры RF МОП-транзистора.

Id – непрерывный ток утечки 500 mA
Pd – рассеивание мощности 3 W
Vds – напряжение пробоя сток-исток 10 V
Vgs – напряжение затвор-исток 5 V
Vgs th – пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта РЧ МОП-транзисторы
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Рабочая частота 470 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SK3078
Технология Si
Тип RF Power MOSFET
Тип продукта RF MOSFET Transistors
Торговая марка Toshiba
Упаковка / блок PW-Mini-3
Усиление 8 dB
Вес, г 0.05
+79043698209
Заполните форму и мы перезвоним Вам. X