Каталог

Технические характеристики транзистора

Pd – рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы – BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 70 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 10 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
Непрерывный коллекторный ток 70 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 1.5 GHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия 15GN03CA
Технология Si
Тип продукта BJTs – Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
+79043698209
Заполните форму и мы перезвоним Вам. X