-
Si PIN photodiode S3590-08
Технические характеристики Photosensitive area 10 × 10 mm Number of elements 1 Package Ceramic Cooling Non-cooled Reverse voltage (max.) 100 V Spectral response range 340 to 1100 nm Peak sensitivity wavelength (typ.) 960 nm Photosensitivity (typ.) 0.66 A/W Dark current (max.) 6000 pA Cutoff frequency (typ.) 40 MHz Terminal capacitance (typ.) 40 pF Noise equivalent […]
-
Массив фотодиодов с усилителем S11865-64G
Параметры изображения: размер 51.2 x 0.8 мм, количество эффективных пикселей — 64, размер пикселя — 0.7 x 0.8 мм, шаг пикселей — 0.8 мм, напряжение питания — 5 В, сцинтиллятор — люминофорный слой, максимальная длина волны чувствительности — 720 нм, максимальная скорость считывания линий — 14678 линий/с, емкость обратной связи зарядного усилителя — 0.5 пФ. Условия измерения рентгеновского излучения: Тип. Ta=25 ℃.
