-
2N2222AUBC — Высокочастотный силовой транзистор от Microchip
Кремниевый транзистор NPN с переключающими функциями.
-
AFT05MS031GNR1 — мощный ВЧ-транзистор компании NXP
ВЧ-транзистор мощностью 31 Вт P1дБ, работающий в диапазоне частот от 0,0018 до 0,52 ГГц. Усиление 17,7 дБ на 520 МГц, напряжение 13,6 В, исполнение TO-270G-2, LDMOS.
-
ART1K6PHY — Силовой ВЧ транзистор Ampleon
Мощный ВЧ-транзистор с диапазоном частот 0,001–0,45 ГГц, мощностью 1600 Вт и усилением 27,4 дБ, модель OMP1230-4F-1 на основе LDMOS, с рабочим напряжением 55 В.
-
ART2K0FEGJ — ВЧ-усилительный транзистор Ampleon
52425,00 ₽Мощный ВЧ-транзистор с диапазоном частот 0,001–0,40 ГГц, мощностью 2000 Вт, коэффициентом усиления 28,4 дБ и рабочим напряжением 65 В, выполненный в корпусе SOT1248C на базе LDMOS-технологии.
-
ART700FGH — мощный ВЧ-транзистор от Ampleon
Мощный ВЧ-транзистор с диапазоном от 0,0001 до 0,45 ГГц, мощностью 700 Вт, коэффициентом усиления 28,6 дБ и рабочим напряжением 55 В, в корпусе SOT1214C, на основе технологии LDMOS.
-
BLC10G18XS-602AVTY — Высокочастотный транзистор мощности Ampleon
21375,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор диапазона 1,805–1,88 ГГц, мощностью 720 Вт, коэффициентом усиления 16 дБ и напряжением 30 В, в корпусе SOT1258-4, на основе LDMOS.
-
BLC10G18XS-602AVTZ-A — силовой высокочастотный транзистор Ampleon
21375,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор в диапазоне 1,805–1,88 ГГц с мощностью 720 Вт, коэффициентом усиления 16 дБ и рабочим напряжением 30 В, корпус SOT1258-4, тип LDMOS.
-
BLC10G27XS-551AVTY — Мощный ВЧ транзистор Ampleon
24300,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор с диапазоном частот 2,62–2,69 ГГц, мощностью 550 Вт, усилением 13,5 дБ, напряжением 32 В, в корпусе SOT1258-4, технологии LDMOS.
-
BLF189XRAU — Мощный ВЧ транзистор Ampleon
4500,00 ₽ВЧ-силовой транзистор, работающий в диапазоне частот от 0,03 до 0,50 ГГц, мощностью 1500 Вт и коэффициентом усиления 26,5 дБ, с рабочим напряжением 50 В, форм-фактор SOT539A, тип LDMOS.
-
BLF888EU — Усовершенствованный ВЧ транзистор от Ampleon
6300,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор, рабочий диапазон 0,47–0,79 ГГц, мощность 750 Вт, коэффициент усиления 17 дБ, корпус SOT539A, технология LDMOS.
-
BLP15H9S10GXY — ВЧ транзистор мощности от Ampleon
ВЧ-транзистор с диапазоном частот 0,001–1,5 ГГц, мощностью 10 Вт, усилением 21 дБ и напряжением 50 В, форм-фактор SOT1483-1, выполнен на основе LDMOS технологии.
-
BLP15H9S30Z — ВЧ мощностной транзистор Ampleon
3150,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор с диапазоном частот от 0,001 до 2 ГГц, мощностью 30 Вт, коэффициентом усиления 22 дБ и номинальным напряжением 50 В, в корпусе SOT1482-1, технологии LDMOS.
-
BLP15M9S30GZ — ВЧ мощностной транзистор Ampleon
3150,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор с диапазоном частот от 0,01 до 1,5 ГГц, мощностью 30 Вт и коэффициентом усиления 19,3 дБ, выполненный в корпусе SOT1483-1 с напряжением 32 В, тип LDMOS.
-
BLP15M9S70Z — Радиочастотный мощный транзистор Ampleon
3375,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор диапазона 0-1,5 ГГц, мощность 70 Вт, усиление 17,8 дБ, напряжение 32 В, корпус SOT1482-1, тип LDMOS.
-
BLP9G0722-20GZ — ВЧ мощный транзистор фирмы Ampleon
2700,00 ₽СВЧ-транзистор мощностью 20 Вт, диапазон частот от 0,40 до 2,7 ГГц, коэффициент усиления 17,3 дБ, напряжение 28 В, корпуса SOT1483-1, LDMOS.
-
BLP9H10-30GZ — ВЧ мощностной транзистор Ampleon
4500,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор с диапазоном частот 0,616–0,96 ГГц, мощностью 30 Вт, коэффициентом усиления 19 дБ, рабочим напряжением 50 В в корпусе SOT1483-1 на основе LDMOS.
-
BLS9G2729LS-350U — Высокочастотный силовой транзистор Ampleon
49950,00 ₽Мощный ВЧ-транзистор с диапазоном 2,7-2,9 ГГц, мощностью 350 Вт, уровнем усиления 14 дБ, напряжением 28 В, в корпусе SOT502B, LDMOS.
-
C4H2350N10Z — ВЧ транзистор мощности марки Ampleon
Мощный ВЧ-транзистор с диапазоном частот от 2,3 до 5 ГГц, мощностью 10 Вт, коэффициентом усиления 18,9 дБ, напряжением 50 В, в корпусе DFN 4,5 x 4,6, на основе GaN.
-
C4H27W400AVY — Мощный ВЧ транзистор Ampleon
31950,00 ₽ВЧ-транзистор мощностью 400 Вт, работающий в диапазоне частот от 2,3 до 2,69 ГГц, с коэффициентом усиления 15 дБ и напряжением 48 В, в корпусе SOT1275-1, на основе GaN.
-
MHT1803A — мощный ВЧ-транзистор от компании NXP
ВЧ-силовой транзистор на основе LDMOS, работающий в диапазоне от 1,8 до 50 МГц, с мощностью 300 Вт в режиме непрерывной работы и напряжением 50 В.
-
MRF300AN — силовой ВЧ-транзистор от NXP
9225,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор, от 1,8 до 250 МГц, 300 Вт, 50 В, ТО-247-3L, LDMOS
-
MRFE6VP6300HR5 — силовой ВЧ-транзистор от NXP
27225,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор, от 1,8 до 600 МГц, 300 Вт, типичное усиление в дБ 25 @ 130 МГц, 50 В, LDMOS, SOT1827
-
MRFE6VS25GNR1 — силовой ВЧ-транзистор от NXP
6075,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор, от 1,8 до 2000 МГц, 25 Вт, типичное усиление в дБ 25,5 при 512 МГц, 50 В, LDMOS, SOT1731
-
MRFX1K80NR5 — силовой ВЧ-транзистор от NXP
38475,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор, от 1,8 до 400 МГц, 1800 Вт, 65 В, SOT1816-1, LDMOS
-
MRFX600GSR5 — силовой ВЧ-транзистор от NXP
Силовой ВЧ-транзистор, от 1,8 до 400 МГц, 600 Вт в непрерывном режиме, типичное усиление в дБ 26,4 при 230 МГц, 65 В, NI-780GS-4L, LDMOS
-
QPD1000 — мощный высокочастотный транзистор от Qorvo
24750,00 ₽Мощный ВЧ-транзистор с диапазоном частот 0,03–1,215 ГГц, мощностью 15 Вт и напряжением 28 В, выполненный на основе GaN.
-
QPD1015 — мощный ВЧ-транзистор компании Qorvo
69300,00 ₽ВЧ-транзистор мощностью 65 Вт, работающий с постоянным током на частоте до 3,7 ГГц, с использованием GaN-технологии, модель NI-360.
-
T2G6000528-Q3 — ВЧ транзистор мощности от компании Корво
23625,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор с диапазоном частот до 6 ГГц, мощностью 10 Вт, коэффициентом усиления 13,5 дБ и напряжением 28 В на основе GaN.
-
TGF2023-2-10 — ВЧ-транзистор высокой мощности от Корво
32400,00 ₽ВЧ-транзистор мощностью 50 Вт, работающий в диапазоне от 0 до 18 ГГц с коэффициентом усиления 11,5 дБ и напряжением 28 В, на основе кристаллического GaN.
-
Амплитудный ВЧ транзистор BLC10G27XS-400AVTY от компании Ampleon
18225,00 ₽ВЧ-транзистор высокой мощности, диапазон частот 2,496–2,69 ГГц, мощность 400 Вт, усиление 13,3 дБ, рабочее напряжение 28 В, корпус SOT1258-4, тип LDMOS.
-
КВТ-1016 — высокочастотный силовой транзистор от Корво
227475,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор на основе GaN, с рабочей частотой до 1,7 ГГц, номиналом 50 В и мощностью 500 Вт. Модель NI-780 в упаковке.
-
КМТ1810 — мощный ВЧ-транзистор компании Qorvo
232650,00 ₽Мощный ВЧ-транзистор на основе GaN, рабочая частота от 2,7 до 3,1 ГГц, мощность 500 Вт, напряжение 50 В, модель RF-565, размеры 17,4 x 24 мм.
-
ОН4402Н — ВЧ усилительный транзистор компании Ampleon
ВЧ мощный транзистор
-
Транзистор C4H2327N55PZ ВЧ силовой от компании Ampleon
ВЧ силовой транзистор диапазона 2,3–2,7 ГГц, мощностью 50 Вт, с коэффициентом усиления 19,6 дБ, питающийся от 48 В, выполненный в корпусе DFN 7 x 6,5 на основе GaN.
-
Транзистор NXP A3G26D055NT4 для высокочастотных мощностей
4725,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор диапазона 0,10 – 2,69 ГГц, с номинальной мощностью 8 Вт, усилением 18 дБ и рабочим напряжением 48 В, в корпусе DFN 7 x 6,5, выполненный на основе GaN.
-
Транзистор QPD1035L для высокочастотного применения от Qorvo
Высокочастотный силовой транзистор.
-
Транзистор высокочастотный CLF3H0060-10U от Ampleon
21825,00 ₽Силовой ВЧ-транзистор с диапазоном частот до 6 ГГц, мощностью 10 Вт и коэффициентом усиления 20,1 дБ, на напряжение 50 В, в корпусе SOT1227A, на основе GaN.
-
Транзисторы CD6105A от P1dB для CD-устройств
Силовой ВЧ-транзистор, мощность 25 Вт, частота 400 МГц, с шпилькой 0,280 и напряжением 28 В.
-
Трансформатор BLF189XRBU — мощный ВЧ-транзистор от Ampleon
68400,00 ₽ВЧ-транзистор с мощностью 1900 Вт, диапазоном частот от 0,001 до 0,15 ГГц, усилением 26 дБ и напряжением 50 В, в корпусе SOT539A, на основе LDMOS технологии.
