-
Si PIN-фотодиод S2744-09
Технические характеристики Photosensitive area 20 × 10 mm Number of elements 1 Package Ceramic Cooling Non-cooled Reverse voltage (max.) 100 V Spectral response range 340 to 1100 nm Peak sensitivity wavelength (typ.) 960 nm Photosensitivity (typ.) 0.66 A/W Dark current (max.) 10000 pA Cutoff frequency (typ.) 25 MHz Terminal capacitance (typ.) 85 pF Noise equivalent […]
-
Si PIN-фотодиод S3590-19
Технические характеристики Photosensitive area 10 × 10 mm Number of elements 1 Package Ceramic Cooling Non-cooled Reverse voltage (max.) 100 V Spectral response range 340 to 1100 nm Peak sensitivity wavelength (typ.) 960 nm Photosensitivity (typ.) 0.58 A/W Dark current (max.) 10000 pA Cutoff frequency (typ.) 40 MHz Terminal capacitance (typ.) 40 pF Noise equivalent […]
-
Si фотодиод S12497
Технические характеристики Photosensitive area 9.5 × 9.5 mm Number of elements 1 Package PWB with pins Cooling Non-cooled Reverse voltage (max.) 10 V Spectral response range 400 to 1100 nm Peak sensitivity wavelength (typ.) 920 nm Photosensitivity (typ.) 0.57 A/W Dark current (max.) 200 pA Rise time (typ.) 15 μs Terminal capacitance (typ.) 950 pF […]
-
Si фотодиод S8193
Технические характеристики Photosensitive area 5.8 × 5.8 mm Number of elements 1 Package Ceramic Cooling Non-cooled Reverse voltage (max.) 5 V Dark current (max.) 50 pA Terminal capacitance (typ.) 950 pF
-
Si фотодиодная матрица S13620-02
Технические характеристики Element size (per 1 element) 2.5 × 2.5 mm Number of elements 64 Package Glass epoxy Package category Unsealed Scintillator type None Cooling Non-cooled Reverse voltage (max.) 10 V Spectral response range 400 to 1100 nm Peak sensitivity wavelength (typ.) 960 nm Photosensitivity (typ.) 0.61 A/W Dark current (max.) 300 pA Rise time […]
-
Волоконно-оптическая пластина со сцинтиллятором J6673
CsI(Tl) + волоконно-оптическая пластина, тип высокой светоотдачи
-
Волоконно-оптическая пластина со сцинтиллятором J6673-01
CsI(Tl) + волоконно-оптическая пластина высокого разрешения
-
Датчик изображения CMOS S15683-13
Размер изображения 26 x 34 мм Размер пикселя 20 x 20 мкм Питч пикселя 20 мкм Тип сцинтилятора CsI (Tl) Типичное разрешение рентгеновского изображения 20 ЛП/мм Условия измерения Обычно Ta=25 ℃, если не указано иное
-
Двухканальная рентгеновская камера линейного сканирования C11800-09U
Двойная рентгеновская камера линейного сканирования серии C11800 оснащена современным рентгеновским детектором, который улучшает её характеристики по сравнению с предыдущими моделями. Применение вычислительной технологии DualXTRAX позволяет осуществлять расширенное обнаружение, включая нахождение «загрязнений низкой плотности», таких как куриные кости и резиновые фрагменты, а также «тонких загрязнений», включая ржавчину и стеклянные осколки, что ранее было затруднительно.
-
Матрица фотодиодов с усилителем S11865-256G
Размер изображения 51.2 x 0.3 мм Количество эффективных пикселей 256 Пиксельный размер 0.1 x 0.3 мм Питч пикселя 0.2 мм Напряжение питания 5 В Свинцовое покрытие Фосфорная пленка Пиковая длина волны чувствительности 720 нм Максимальная скорость считывания 3844 линии/с Емкость обратной связи зарядового усилителя 0.5 пФ Примечание для условий измерения рентгеновских лучей Тип. Ta=25 ℃
-
Матрица фотодиодов с усилителем S13885-128G
Размер изображения 51.2 x 0.6 мм, количество эффективных пикселей 128, размер пикселя 0.3 x 0.6 мм, шаг пикселя 0.4 мм, напряжение питания 3.3 В, сцинтиллятор – фосфорная пленка, пик чувствительности 720 нм, максимальная скорость линии 7568 линий/с, емкость обратной связи зарядного усилителя 0.125 пФ. Примечание для рентгеновских лучей, тип с высокой чувствительностью.
-
Матрица фотодиодов с усилителем S13886-128G
Размер изображения 102.4 x 0.8 мм Количество эффективных пикселей 128 Пиксельный размер 0.7 x 0.8 мм Шаг пикселей 0.4 мм Напряжение питания 3.3 В Сцинтиллятор Фосфорный лист Пиковая чувствительность 720 нм Максимальная скорость считывания 7568 линий/с Ёмкость обратной связи зарядного усилителя 0.125 пФ Примечание для рентгеновских лучей, тип с высокой чувствительностью.
-
Матрица фотодиодов с усилителем С11865-128С
Размер изображения 51.2 x 0.6 мм Количество эффективных пикселей 128 пикселей Размер пикселя 0.3 x 0.6 мм Шаг пикселя 0.4 мм Напряжение питания 5 В Сцинтиллятор отсутствует Диапазон спектральной чувствительности 200 – 1000 нм Пиковая чувствительность на длине волны 720 нм Максимальная скорость считывания 7568 линий/с Обратная ёмкость усилителя заряда 0.5 пФ Условия измерения…
