-
InGaAs PIN photodiode G12180-010A
Features – Low noise, low dark current – Low terminal capacitance – Photosensitive area: φ1 mm – Low noise
-
InGaAs PIN photodiode G12180-030A
Features – Low noise, low dark current – Low terminal capacitance – Photosensitive area: φ3 mm – Low noise
-
InGaAs PIN photodiode G12183-005K
Features – Cutoff wavelength: 2.6 μm – Low cost – Photosensitive area: φ0.5 mm – Low noise – High sensitivity – High reliability – High-speed response
-
InGaAs PIN photodiode G12183-230K
Features – Cutoff wavelength: 2.55 μm – Two-stage TE-cooled – Low cost – Photosensitive area: φ3 mm – Low noise – High sensitivity – High reliability – High-speed response
-
InGaAs PIN photodiode with preamp G9820
Технические характеристики Number of elements 1 Package Metal Package Category TO-18 Cooling Non-cooled Measurement condition Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted
-
Si photodiode array S11142-10
Технические характеристики Photosensitive area 14 x 14 mm Number of elements 4 Package Ceramic Incident electron energy range (typ.) 1 to 30 keV Electron multiplying gain (typ.) 300 Reverse voltage (max.) 20 V Dark current (max.) 60000 pA Cutoff frequency (typ.) 5 MHz Terminal capacitance (typ.) 200 pF Measurement condition Ta=25 ℃, VR=5 V
-
Si PIN photodiode S3590-08
Технические характеристики Photosensitive area 10 × 10 mm Number of elements 1 Package Ceramic Cooling Non-cooled Reverse voltage (max.) 100 V Spectral response range 340 to 1100 nm Peak sensitivity wavelength (typ.) 960 nm Photosensitivity (typ.) 0.66 A/W Dark current (max.) 6000 pA Cutoff frequency (typ.) 40 MHz Terminal capacitance (typ.) 40 pF Noise equivalent […]
-
Массив фотодиодов с усилителем S11865-64G
Параметры изображения: размер 51.2 x 0.8 мм, количество эффективных пикселей — 64, размер пикселя — 0.7 x 0.8 мм, шаг пикселей — 0.8 мм, напряжение питания — 5 В, сцинтиллятор — люминофорный слой, максимальная длина волны чувствительности — 720 нм, максимальная скорость считывания линий — 14678 линий/с, емкость обратной связи зарядного усилителя — 0.5 пФ. Условия измерения рентгеновского излучения: Тип. Ta=25 ℃.