-
MOSFET-транзистор R6530ENXмощный, малошумящий
R6530ENX — это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой скоростью переключения, подходящий для переключения. Низкое сопротивление включения. Быстрая скорость переключения. Легкое параллельное использование. Покрытие без свинца. Соответствует RoHS. Технические характеристики ХарактеристикиТипMOSFETТехнологиямощность, коммутационныйДругие характеристикималошумящийТок 30 А Напряжение 650 В
-
Модуль MOSFET SCT2H12NY, силовой транзистор на кремниевой основе
N-канальный силовой МОП-транзистор на основе карбида кремния. Обладает низким сопротивлением в проводящем состоянии и высокой скоростью переключения. Имеет значительный путь утечки и лишен центрального вывода, что упрощает управление. Свинцовое покрытие, соответствующее стандартам RoHS, не содержит свинца. Технические характеристики: тип – МОП-транзистор, технология – переключение, мощность, материал – кремний, ток – 4 А, напряжение – 1700 В.
-
Модулятор MOSFET RS1E321GN с высокой мощностью переключения
RS1E321GN — силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением в открытом состоянии, предназначенный для высокомощной коммутации. Обладает компактным корпусом (HSOP8) и соответствует стандартам RoHS; не содержит галогенов и свинца. Тестирование на 100 % Rg, проверено по методике UIS. Технические параметры: тип — МОП-транзистор, технология — силовое переключение, ток — 80 А, напряжение — 30 В.
-
МОП-транзистор SCT2H12NZсиловой кремний
N-канальный силовой МОП-транзистор SiC (карбид кремния). Низкое сопротивление в открытом состоянии. Высокая скорость переключения. Большой путь утечки. Простота управления. Покрытие свинцом, не содержащее свинца, соответствует требованиям RoHS. Технические характеристики ХарактеристикиТипMOSFETТехнологиямощность, коммутацияДругие характеристикикремнийТок 3,7 А Напряжение 1700 В
