-
InSb фотогальванический детектор P5968-300
Технические характеристики Photosensitive area φ3 mm Number of elements 1 Package Metal dewar Cooling Liquid nitrogen Rise time (typ.) 600 ns Measurement condition Td=-196 ℃, Detectivity D*: λ=λp, fc=1200 Hz, Δf=1 Hz
-
Детектор термобатареи Т15962-02
Характеристики устройства Package TO-18: фоточувствительная зона 1.2 x 1.2 мм, диапазон спектрального отклика от 1.1 мкм и выше, типичная фоточувствительность 50 Вт/В, эквивалентная шумовая мощность 0.9 нВт/Гц^(1/2), чувствительность 1.3 x 10^8 см・Гц^(1/2)/Вт, время нарастания 20 мс (максимум 30 мс), температурный коэффициент сопротивления элемента ±0.1 %/℃, угол обзора (тип.)…
-
Детектор термоэлементов T11722-12
Технические данные упаковки TO-5: Фоточувствительная область (на элемент) 1.2 x 1.2 мм; диапазон спектральной реакции: для справки: 3.9 мкм, для CH4: 3.3 мкм; фоточувствительность (среднее) 50 Вт/В; эквивалентная шумося обмотка (среднее) 0.9 нВт/Гц1/2; детективность (среднее) 1.3 x 10^8 см・Гц1/2/Вт; время нарастания (среднее) 20 мс; максимальное время нарастания 30 мс; температурный коэффициент сопротивления элемента (среднее).
-
Детектор фотогальванический InAsSb P16614-011CN
Технические параметры: Фотосенсорная зона 0.7×0.7 мм, количество элементов 1, корпус керамический, охлаждение не предусмотрено. Пиковой длиной волны чувствительности является 7.4 мкм, а длина волны среза — 11.0 мкм. Средняя фоточувствительность составляет 0.005 A/W, детективность D* равна 1.0×10^8 см・Гц1/2/Вт. Шумовая эквивалентная мощность — 7.1×10^-10 Вт/Гц1/2. Время нарастания составляет 3 нс, а емкость на выходе — 1.2 пФ. Условия измерения: Ta=25℃.
-
Квантовый каскадный фотодетектор P16309-01
Сверхскоростной фотодетектор для среднего инфракрасного диапазона с рабочей частотой 20 ГГц. Используется в высокочастотных и высокотемпоральных измерениях, включая среднеинфракрасное гетеродинное обнаружение. Основные характеристики: фотоприемник с откликом 20 ГГц, диапазон частот (-3 дБ) от 0 до 20 ГГц, пиковая чувствительная длина волны 4,65 мкм, фоточувствительность 1 мА/Вт (тип.), работает без охлаждения и операционного смещения.
-
Модуль фотодиода C10439-15
Технические характеристики: Площадь чувствительной зоны 2.4 × 2.4 (Si), φ1 (InGaAs) мм; Диапазон спектральной чувствительности 320–2600 нм; Пиковая длина волны чувствительности 940 (Si), 2300 (InGaAs) нм; Аналоговый выход, импеданс преобразования: низкий диапазон – 1 × 10⁶, высокий диапазон – 1 × 10⁵ В/A; Частота среза: низкий диапазон – 100000 Гц, высокий диапазон – 10000 Гц; Напряжение питания ±5 до ±12 В.
-
Фотогальванический детектор InAsSb модель P16612-033CF
Характеристики: Зона чувствительности 0.7×0.7 мм, количество элементов 1, корпус керамический, система охлаждения без охлаждения, длина волны отсечения (тип.) Пиковая длина волны чувствительности (тип.) 3.3 / BPF мкм, фоточувствительность (тип.) 0.0028 A/W, детективность D* (тип.) 6.5×10^8 см・Гц^1/2/Вт, эквивалентная мощность шума (тип.) 1.1×10^-10 Вт/Гц^1/2, время нарастания (тип.) 15 нс, выходная ёмкость (тип.) 0.5 пФ, условия измерения Ta=25℃.
