-
Детектор фотогальванический InAsSb P16614-011CN
Технические параметры: Фотосенсорная зона 0.7×0.7 мм, количество элементов 1, корпус керамический, охлаждение не предусмотрено. Пиковой длиной волны чувствительности является 7.4 мкм, а длина волны среза — 11.0 мкм. Средняя фоточувствительность составляет 0.005 A/W, детективность D* равна 1.0×10^8 см・Гц1/2/Вт. Шумовая эквивалентная мощность — 7.1×10^-10 Вт/Гц1/2. Время нарастания составляет 3 нс, а емкость на выходе — 1.2 пФ. Условия измерения: Ta=25℃.
-
Фотогальванический детектор InAsSb модель P16612-033CF
Характеристики: Зона чувствительности 0.7×0.7 мм, количество элементов 1, корпус керамический, система охлаждения без охлаждения, длина волны отсечения (тип.) Пиковая длина волны чувствительности (тип.) 3.3 / BPF мкм, фоточувствительность (тип.) 0.0028 A/W, детективность D* (тип.) 6.5×10^8 см・Гц^1/2/Вт, эквивалентная мощность шума (тип.) 1.1×10^-10 Вт/Гц^1/2, время нарастания (тип.) 15 нс, выходная ёмкость (тип.) 0.5 пФ, условия измерения Ta=25℃.
