Si фотодиод S12742-254

Технические характеристики Photosensitive area 3.6 × 3.6 mm Number of elements 1 Package Metal Cooling Non-cooled Reverse voltage (max.) 5 V Spectral response range 252 to 256 nm Peak sensitivity wavelength (typ.) 254 nm Photosensitivity (typ.) 0.018 A/W Dark current (max.) 25 pA Rise time (typ.) 1 μs Terminal capacitance (typ.) 500 pF Noise equivalent […]

Артикул: S12742-254 Категории: Si фотодиоды, Оптические датчики, Продукция, Фотодиоды

Описание

Технические характеристики

Photosensitive area	3.6 × 3.6 mm
Number of elements	1
Package	Metal
Cooling	Non-cooled
Reverse voltage (max.)	5 V
Spectral response range	252 to 256 nm
Peak sensitivity wavelength (typ.)	254 nm
Photosensitivity (typ.)	0.018 A/W
Dark current (max.)	25 pA
Rise time (typ.)	1 μs
Terminal capacitance (typ.)	500 pF
Noise equivalent power (typ.)	9.1×10-14 W/Hz1/2
Measurement condition	Typ. Ta=25 ℃, Photosensitivity: λ=254 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz, Noise equivalent power: VR=0 V, λ=λp, unless otherwise noted

Каталог

Si фотодиод S12742-220

Si фотодиод S12915-1010R

Si фотодиод S12742-254

Технические характеристики

Похожие товары

Полосовой инфракрасный фильтр 10,6 мкм CWL, диам. 25 мм, 1,5 FWHM

Поляризационный гелий-неоновый лазер Lasos 0,5 мВт с линейной поляризацией

Лазер Lasos с линейной поляризацией 10 мВт на основе гелия-неона