Извлечение модели W8542ET IC-CAP VBIC BJT

Извлечение модели W8542 IC-CAP VBIC BJT включает пакет извлечения для биполярной модели VBIC (вертикальная биполярная межфирменная модель). Вертикальная модель VBIC BJT была разработана специально в качестве замены модели SPICE Gummel-Poon представителями отраслей ИС и САПР.

Для устройств, доступных до недавнего времени, это была интуитивная и физически непротиворечивая формулировка, которая в целом соответствовала требованиям моделирования устройств BJT. Однако усовершенствования в современных технологиях устройств все больше указывают на необходимость усовершенствования методов моделирования BJT. Вот некоторые из технологических изменений:

• Уменьшенная ширина базы
• Меньшие размеры устройства и изменения в структуре устройства
• Изменения в профилях легирования
• Паразитный транзистор подложки

Уменьшенная ширина базы означает, что эффекты более высокого порядка имеют большее значение. Приближение раннего эффекта в модели Gummel-Poon недостаточно точное для учета этих эффектов. Меньшие размеры устройства увеличивают важность паразитных емкостей перекрытия, не учитываемых моделью Gummel-Poon. По мере уменьшения ширины базы отклик становится более нелинейным. Изменения в профилях легирования увеличивают эффекты квазинасыщения сопротивления коллектора, что не учитывается в модели Гуммеля-Пуна. Паразитный транзистор подложки не включен в модель Гуммеля-Пуна. Поэтому моделирование как постоянного, так и переменного тока менее точно, чем необходимо в современных устройствах.

Чтобы преодолеть эти проблемы, представители отраслей ИС и САПР объединились, чтобы рекомендовать улучшенную стандартную модель BJT для полупроводниковой промышленности. Результатом является VBIC, модель, которая теперь жизнеспособна и будет продолжать развиваться по мере внесения дальнейших улучшений. VBIC включает улучшенное моделирование эффекта Эрли (выходная проводимость), тока подложки, квазинасыщения и поведения в зависимости от температуры: информация, необходимая для точного моделирования современных современных устройств. Однако он был дополнительно определен таким образом, что с параметрами по умолчанию модель будет упрощена, чтобы быть максимально похожей на модель Гуммеля-Пуна.

Преимущества VBIC по сравнению с моделью Гуммеля-Пуна включают:

• Модель раннего эффекта, основанная на зарядах истощения перехода
• Модифицированная модель Кулла для квазинасыщения, действительная в режиме Кирка (эффект высокой инжекции на коллекторе)
• Включение паразитного транзистора подложки
• Улучшенная модель емкости перехода для всех трех емкостей перехода
• Улучшенное статическое масштабирование температуры
• Моделирование первого порядка распределенной базы и эмиттера переменного и постоянного тока
• Общее улучшенное моделирование диффузионной емкости высокого уровня (включая заряд квазинасыщения)
• Включение Паразитные емкости перекрытия
• Включение начала слабого лавинного тока для перехода база-коллектор
• Непрерывность высокого порядка (бесконечная) в уравнениях
• Модель шума, аналогичная модели Гуммеля-Пуна, с дробовыми, тепловыми и 1/f компонентами
• Определенная модель самонагрева с крючками, включенными в код: сама модель самонагрева будет доступна в будущей версии VBIC

Извлечение модели W8542 IC-CAP VBIC BJT предполагает, что тестируемое устройство представляет собой вертикальный биполярный NPN-транзистор, изготовленный на подложке P-типа.